CIRCUITO INTEGRADO
- Ref.
- SAB3035
- SKU
- SAB3035
MEMORIAS DRAM
Em stock6 unidades disponíveis
Garantia OficialSuporte e assistência direta
Expedição 24hPortugal Continental e Ilhas
TOSHIBAMEMORIAS DRAM
DRAMS 4MBX1B DIP
Circuito integrado Dynamic RAM de 4MB X 1 Bit, com entradas multiplexadas, com tempo de litura de 70 ns , baixo consumo, com tensão de alimentação de 5V, Caixa DIP 18.
Ref: M54C1000DSKU: M54C1000DModelo: TC514100AP-70
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Especificações Técnicas
Detalhes do Artigo
- Designacao Produto
- DRAM´S 4 MBX1 BIT
- Descricao Longa
- Circuito integrado Dynamic RAM de 4MB X 1 Bit, com entradas multiplexadas, com tempo de litura de 70 ns , baixo consumo, com tensão de alimentação de 5V, Caixa DIP 18.
- Descricao Resumida
- Circuito integrado Dynamic RAM de 4MB X 1 Bit, Vcc 5V, Caixa DIP 18.
- Marca
- TOSHIBA
- Modelo
- TC514100AP-70
- Família
- DRAM
- Caixa
- DIP 18
- Tipo de embalagem
- Bulk
- Interface Disco
- n/a
- Quantidade por Embalagem
- 6 Pcs
- Normas (T)
- CE
DRAMS 4MBX1B SMD
- Ref.
- M54C1000S
- SKU
- M54C1000S
DRAMS 4MBX1B ZIP
- Ref.
- M54C1000
- SKU
- M54C1000
